sic-si是什么材质（SiC原材料）

今天给各位分享sic-si是什么材质的知识，其中也会对SiC原材料进行解释，现在开始吧！

ssic的材质与sic的区别?

无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC

无压烧结SiC它是采用超细SiC微粉(粒度约在0.1～0.2微米)加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。

热压烧结SiC它由粒度小于等于1微米的SiC粉加上适当的添加剂，装入石墨模具内，在2000～2100摄氏度的热压炉中加压(30～50MPa)制成

的。它是SiC中化学稳定性最好的一种。这是因为在氧化气氛下，表层生成一种保护性的SiO2膜的缘故。这种SiC用作耐腐蚀密封摩擦副环性能最好。

碳硅石（Moissanite）

又称穆桑石。

【化学组成】SiC。Si含量为70.04%，C含量为29.96%，碳化硅中含微量Al，Ca，Mg，Fe等元素。偶见金属铁和石墨包裹体。

【晶体结构】六方、三方或等轴晶系。天然矿物中六方晶系晶胞参数0=0.3081nm，c0=0.5031nm；Z=2。按其形成条件可分为-SiC（三方晶系），-SiC（等轴晶系）和-SiC（六方晶系）等几种变体。前者又有-SiCⅡ和-SiCⅥ等变体，常见的是-SiCⅡ。碳硅石多型很多，已知有150种结构类型。多型主要表现在c轴重复周期的不同，一种3H多型结构见图16-4。

【形态】板状、复三方柱状，多成自形晶或不规则圆粒及碎屑。

【物理性质】纯者无色透明，含杂质时呈蓝、天蓝、深蓝、深绿、浅绿及少数呈黄、黑等色。金刚光泽。硬度9.5。密度3.17～3.47g/cm3。折射率极高。双折射性和色散性强，在紫外光下发黄、橙黄光。无电磁性。难溶，不溶于氢氟酸。在氧化气氛中加热至1100℃不燃烧。

【成因产状】产于陨石、月岩、金伯利岩和某些沉积岩中。1904年穆桑（Moissan）在陨石中发现，故得名。

问金刚石、sic,si的熔点高低

金刚石sicsi，因为c的原子半径比si小，形成c-c共价键的键长更短，所以熔点越高。sic就是金刚石和si的“过渡”晶体

碳化硅陶瓷的性能特点，碳化硅陶瓷的好处有哪些

碳化硅材料作为应用领域最为广泛的一种新型材料，越来越多被应用于碳化硅陶瓷生产方面。碳化硅陶瓷产品具有以下优点：1、耐化学腐蚀；2、耐高温，正常使用在1800℃；3、耐骤冷骤热，不易炸裂；4、可重复使用；5、结构性能稳定；6、超高温稳定性；7、热传导性高。

正由于碳化硅陶瓷所具有耐磨、耐腐蚀、抗氧化、导热快、高温不易发生形变的特点，可有效防止高温溶液对硅碳棒、硅钼棒的侵蚀，因而被广泛应用于铝制品除气系统、印染机械、石油、矿山、钢铁、电力等行业，可有效延长设备的使用寿命和使用周期。

碳化硅陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，如抗弯强度高、抗氧化性好、耐腐蚀性良好、耐磨性能好以及摩擦系数低，而且高温力学性能，特别是强度、抗蠕变性能方面在已知陶瓷材料中也是最好的。尤其在石油化工、微电子、航空航天、汽车等工业领域也不断获得广泛应用。

解释电力电子器件si产品和sic的区别

SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 -SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的优势：

作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。

因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。

价格差异：

单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。

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