导磁材料si是什么（材料中si的作用）

本篇文章给大家谈谈导磁材料si是什么，以及材料中si的作用对应的知识点，希望对各位有所帮助。

导磁材料的介绍

本项目研制出廉价的高导磁（Fe Si B）98(Cu Nb)2非晶合金，晶成分优选及最佳热处理工艺， 退火后材料的磁性能达到昂贵的坡莫合金IJ79的国家标准。 技术状况：该材料除具有IJ 79合金的高导磁性外，饱和磁感应强度较IJ79显著提高。本材料研制的饱和型内正反馈放大器的输入输出特性优于IJ79合金制成的该类磁放大器，主要表现在输入输出特性曲线的工作区斜率大、特性曲线的负向在较大的负信号区域没有翘起，接近磁放大器输入输出特性的理想曲线。用本材料研制的磁感应加热器热效率高，可在250kHz的高频电源下使用。

si半导体 是什么意思

就是硅基半导体,Si是化学元素硅,

硅基半导体是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

导磁材料是什么意思

导磁材料也称铁磁材料，电机磁路的铁磁材料主要是硅钢片。铁磁材料的磁导串对磁 场具有非线性，在磁化过程中还有不可边性和隘滞现象，在交变磁场作用下出现磁滞损耗和涡流损耗。

解释电力电子器件si产品和sic的区别

SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 -SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的优势：

作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。

因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。

价格差异：

单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。

为什么硅能提高铁导磁？

硅是钢的良好脱氧剂，它与氧结合，使氧转变为稳定的不为碳还原的SiO2，避免了因氧原子掺杂而使铁的晶格畸变。硅在铁中成为固溶体后使电阻率增加，同时有助于将有害杂质碳分离出来。因此，一般含杂质的铁加入硅后能提高磁导率、降低矫顽力和铁损。但含硅量增加又会使材料变硬变脆，导热性和韧性下降，对散热和机械加工不利，故一般硅钢片的含硅量不超过4.5%。

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